Datasheet下载- 型号： SSM6J771G,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J771G,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J771G,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J771G,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6J771G,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6J771G,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6J771G,LF 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET - 单 类别，是一款 P沟道MOSFET。该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源管理电路：适用于电池供电设备中的电源开关和负载管理，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等便携式电子产品。 2. DC-DC转换器：用于高效的电压转换电路中，配合电感、电容等元件实现升压或降压功能，常见于电源适配器和嵌入式系统电源模块中。 3. 负载开关：作为电子负载开关控制高边或低边电源，实现对系统模块的通断控制，常用于服务器、工业控制设备和通信设备中。 4. 马达驱动和继电器驱动：用于小型马达、继电器等感性负载的控制电路中，具备良好的开关特性和耐压能力。 5. 信号切换：在低电压信号路径中作为高速开关使用，适用于音频、视频信号切换电路。 该MOSFET具有小尺寸、低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，适合高密度、高效能的电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSPMOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J771G,LF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SSM6J771G,LFSSM6J771G,LF |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 9.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA， 3V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 3A， 8.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | SSM6J771GLFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 26 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，WLCSP |
| 封装/箱体 | WCSP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
| 配置 | Dual Common Drain |
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