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  • 型号: FDD068AN03L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD068AN03L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD068AN03L价格参考。Fairchild SemiconductorFDD068AN03L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD068AN03L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD068AN03L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD068AN03L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于电源管理和功率转换应用。其应用场景主要包括:

1. 电源转换器(DC-DC Converter):适用于同步整流、升降压转换器等,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提升电源转换效率并减少发热。

2. 负载开关与电源管理模块:在电池供电设备中作为负载开关使用,实现对不同电路模块的电源控制,延长电池寿命。

3. 电机驱动电路:用于小型电机或直流电机的驱动控制,如在电动工具、家电或自动化设备中。

4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中用于功率开关,实现直流电到交流电的转换。

5. LED照明驱动:用于大功率LED驱动电路中,提供高效稳定的电流控制。

该MOSFET具有低栅极电荷和快速开关特性,适合高频开关应用,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDD068AN03L

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2525pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.7 毫欧 @ 35A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

80W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Ta), 35A (Tc)

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