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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4107NR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4107NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4107NR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMS4107NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMS4107NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NTMS4107NR2G是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用1.2W小型SOT-23封装,具有低阈值电压和低导通电阻(RDS(on)),适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。 NTMS4107NR2G广泛应用于便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,常用于电源管理开关、电池供电切换、负载开关控制以及信号路由等功能。由于其P沟道特性,特别适合用作高边开关,在关闭不需要的电路模块以节省电能方面表现优异。 此外,该MOSFET也适用于各类消费类电子产品中的逻辑控制开关、DC-DC转换器的同步整流、LED驱动电路以及小型电机控制等场景。其绿色环保设计(符合RoHS标准,无卤素)使其满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。 NTMS4107NR2G凭借小尺寸、高效率和良好的热稳定性,成为在低电压、低电流环境下实现高效开关控制的理想选择,尤其适合需要节能与紧凑布局的便携式和电池供电系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NTMS4107NR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 15A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS4107NR2GOSCT |
| 功率-最大值 | 930mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |