Datasheet下载- 型号： CSD18537NKCS
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18537NKCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18537NKCS价格参考。Texas InstrumentsCSD18537NKCS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD18537NKCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD18537NKCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18537NKCS 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 电源管理： CSD18537NKCS 适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、负载开关和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中，例如步进电机、无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的控制。其快速开关特性和低功耗使其成为高效电机驱动的理想选择。 3. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护和管理系统中，CSD18537NKCS 可作为电池充放电路径的开关元件，实现过流保护、短路保护以及电池均衡等功能。 4. 消费电子设备： 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和信号切换。其紧凑的封装形式（如 NexFET™ 技术优化的封装）非常适合小型化设计。 5. 通信设备： 在通信基站、路由器和交换机等设备中，CSD18537NKCS 可用于信号调理、电源分配和热插拔保护等场景。 6. 工业自动化： 在工业领域，该 MOSFET 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和伺服控制系统中，提供高可靠性和高效的开关性能。 7. 汽车电子： 尽管 CSD18537NKCS 不是专门针对汽车级应用设计，但在非关键车载系统中（如信息娱乐系统或照明控制），它也可以发挥作用。 总之，CSD18537NKCS 凭借其优异的电气性能和可靠性，适合需要高效能、小尺寸解决方案的各种应用场景。在具体应用时，需根据实际需求考虑散热设计和电路保护措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 54 A |
| Id-连续漏极电流 | 54 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd18537nkcs |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免不受无铅要求限制 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18537NKCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD18537NKCS |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 3.2 ns |
| 下降时间 | 3.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-36456-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 12.6 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A（Tc） |
| 系列 | CSD18537NKCS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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