ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NDC7002N
/NDC7002N.jpg)
Datasheet下载- 型号： NDC7002N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NDC7002N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDC7002N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDC7002N价格参考。Fairchild SemiconductorNDC7002N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 510mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6。您可以下载NDC7002N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDC7002N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NDC7002N是一款双N沟道MOSFET阵列，属于晶体管-FET/MOSFET-阵列类别。该器件广泛应用于需要小型化、高效率开关控制的电子系统中。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于负载开关或电池供电路径控制；在LED背光驱动和指示灯控制电路中实现高效通断；作为逻辑电平转换器，用于不同电压域之间的信号接口匹配；在电机驱动、继电器驱动或传感器模块中作为低功耗开关元件；还可用于H桥或半桥拓扑中的低端驱动。 NDC7002N采用SOT-363（SC-70）小尺寸封装，适合空间受限的高密度PCB设计。其低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷特性有助于降低开关损耗，提高系统能效。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，也适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备中的信号与功率切换应用。 总之，NDC7002N凭借其小型化、高性能和高集成度，是现代低电压、低功耗电子系统中理想的MOSFET阵列解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 510 mA |
| Id-连续漏极电流 | 510 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDC7002N- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDC7002N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 510mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | NDC7002NTR |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 510mA |
| 系列 | NDC7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | NDC7002N_NL |
