Datasheet下载- 型号： SI1903DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1903DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1903DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1903DL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1903DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1903DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1903DL-T1-GE3 是一款双通道、N 沟道增强型 MOSFET 阵列，采用微型 6 引脚 SOT-363（SC-88）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关速度，适合用于高效、低功耗的电源管理与信号切换应用。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的负载开关、电源路径管理及电池供电切换；便携式医疗设备中的低电压控制电路；以及各类小型化嵌入式系统中的电机驱动或LED驱动电路。由于其双MOSFET结构，还可用于半桥或同步整流拓扑中，实现紧凑型DC-DC转换器设计。 SI1903DL-T1-GE3 支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或更低电压的微控制器GPIO引脚控制，简化了驱动电路设计。同时，其小尺寸封装有助于减少PCB占用面积，提升系统集成度。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、通信模块和物联网（IoT）终端设备中的信号与功率切换需求。 总之，SI1903DL-T1-GE3 凭借其小型化、高效率和易驱动的特点，广泛应用于需要低电压、低功耗和高密度布局的现代电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1903DL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 995 毫欧 @ 410mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1903DL-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 410mA |
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