Datasheet下载- 型号： NTJD2152PT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD2152PT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD2152PT1价格参考。ON SemiconductorNTJD2152PT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTJD2152PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD2152PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTJD2152PT1是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-363（SC-88）小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与系统节能。 2. 信号切换与路由：在便携设备中用于音频、数据或模拟信号的切换，例如耳机插拔检测、USB信号路径选择等，利用其低导通电阻（Rds(on)）减少信号损耗。 3. 逻辑电平转换：配合上拉电阻，可用于不同电压域之间的双向电平转换，适用于I²C、GPIO等低速接口的电压匹配。 4. 电机驱动与LED控制：在微型马达驱动或背光LED调光电路中作为开关元件，尤其适合小电流驱动场景。 5. 消费类电子产品：广泛应用于笔记本电脑、移动电源、智能家居传感器等，发挥其高集成度、快速开关响应和低静态功耗的优势。 NTJD2152PT1具有低阈值电压特性，可直接由3.3V或1.8V逻辑信号驱动，简化了控制电路设计。同时，其紧凑封装有助于缩小PCB面积，提升系统集成度，是现代高密度电子产品的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD2152PT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 570mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NTJD2152PT1OS |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 775mA |
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