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FDMA1029PZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA1029PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA1029PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA1029PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)。您可以下载FDMA1029PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA1029PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMA1029PZ是安森美(ON Semiconductor)推出的一款P沟道MOSFET阵列器件,采用双封装配置,适用于需要高效率和小尺寸设计的电源管理应用。该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等。 其典型应用场景包括电源开关、负载开关、电池反向保护、热插拔控制以及DC-DC转换电路中的同步整流等。由于其低导通电阻(RDS(on))和低阈值电压特性,FDMA1029PZ在低功耗条件下仍能保持高效运行,有助于延长电池续航时间。 此外,该MOSFET阵列集成度高,可减少外围元件数量,节省PCB空间,特别适合对空间要求严格的紧凑型电子产品。其SMB封装也具备良好的散热性能,能够在较宽温度范围内稳定工作,适用于工业控制、消费类电子及部分汽车电子中的低压电源管理模块。 综上,FDMA1029PZ凭借其高集成度、低功耗和小封装优势,广泛用于各类便携式设备和高效电源管理系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA1029PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA1029PZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 95 毫欧 @ 3.1A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET(2x2) |
| 其它名称 | FDMA1029PZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | - 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A |
| 系列 | FDMA1029PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |