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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5852TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5852TR价格参考。International RectifierIRF5852TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF5852TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF5852TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF5852TR的器件属于晶体管中的MOSFET阵列,通常用于需要高效功率开关的场合。该器件可能包含多个MOSFET集成在一个封装中,适用于需要高可靠性和高效率的电源管理和电机控制应用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高转换效率和减小电路体积; 2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)控制、步进电机或伺服电机驱动电路; 3. 负载开关:如在电池供电设备中控制不同模块的电源通断; 4. 工业自动化:用于PLC、工业继电器替代方案或自动化控制系统中的功率开关; 5. 汽车电子:如车载电源系统、LED照明控制或电动工具中的功率控制模块。 该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产,适用于中高功率密度设计。具体使用时应参考数据手册中的最大额定值、导通电阻、栅极电荷等参数进行合理选型和散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF5852TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 2.7A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 960mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5852.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5852.spi |