ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7726TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7726TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7726TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7726TRPBF价格参考。International RectifierIRF7726TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.79W（Ta） Micro8™。您可以下载IRF7726TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7726TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRF7726TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRF7726TRPBF广泛应用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，能够高效地控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 该型号MOSFET也常用于电机驱动电路中，特别是在小型直流电机或步进电机的驱动中。它可以通过PWM（脉宽调制）信号来精确控制电机的速度和扭矩，适用于消费电子设备、家用电器和工业自动化等领域。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，IRF7726TRPBF可以用于电池充放电保护电路。它可以快速响应过流、短路等异常情况，切断电流路径，保护电池不受损坏。此外，其低导通电阻也有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命。 4. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF7726TRPBF可用于车身控制系统、发动机管理系统以及车载娱乐系统等。例如，在车身控制系统中，它可以用于控制车窗升降、座椅调节等功能；在发动机管理系统中，它可以用于点火线圈驱动和燃油喷射控制等。 5. 工业控制 在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、变频器等，IRF7726TRPBF可以作为开关元件，实现对负载的精准控制。它的高可靠性和快速响应能力使其能够在严苛的工业环境中稳定工作。 总之，IRF7726TRPBF凭借其优异的性能和广泛的适用性，成为许多电子产品和系统中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7726TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7726TRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.79 W |
| Pd-功率耗散 | 1.79 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 107 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2204pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | IRF7726TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 227 ns |
| 功率-最大值 | 1.79W |
| 功率耗散 | 1.79 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 26 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 封装/箱体 | Micro-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 46 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7726.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7726.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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