ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD44H11G
Datasheet下载- 型号： MJD44H11G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD44H11G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD44H11G价格参考￥1.73-￥2.72。ON SemiconductorMJD44H11G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 8A 85MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD44H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD44H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD44H11G 是由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管 (BJT)，广泛应用于各种电子设备中，主要用于开关和放大功能。以下是该型号的一些应用场景： 1. 电源管理 MJD44H11G 常用于电源管理电路中，尤其是在需要高电流驱动的应用中。它可以作为开关元件，控制电源的通断，或者用于稳压电路中的调整管。其较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）使其能够在高压环境下稳定工作，适合用于线性稳压器、开关电源等。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，MJD44H11G 可以作为功率放大器，驱动直流电机或步进电机。它能够承受较大的电流，确保电机在启动、运行和停止时的稳定性。此外，其低饱和电压特性有助于提高效率，减少能耗。 3. 音频放大器 MJD44H11G 还可以用于音频放大器电路中，作为输出级的功率放大管。它能够提供足够的增益和电流驱动能力，确保音频信号的高质量传输。其良好的线性度和低失真特性使得它在音频应用中表现出色。 4. 继电器驱动 在需要驱动继电器的电路中，MJD44H11G 可以作为开关元件，控制继电器的吸合与释放。由于继电器通常需要较大的电流来激活，MJD44H11G 的大电流承载能力使其成为理想的选择。 5. LED 驱动 对于大功率 LED 照明系统，MJD44H11G 可以用作驱动晶体管，控制 LED 的亮度和工作状态。通过调节基极电流，可以实现对 LED 亮度的精确控制，适用于调光灯具或其他照明设备。 6. 保护电路 在某些保护电路中，MJD44H11G 可以作为过流保护或短路保护的开关元件。当检测到异常电流时，晶体管会迅速切断电路，防止损坏其他元件。它的快速响应时间和耐受大电流的能力使其在保护电路中有广泛应用。 总之，MJD44H11G 由于其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、音频放大、继电器驱动、LED 驱动以及保护电路等多种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER NPN 8A 80V DPAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD44H11G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD44H11G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD44H11G-ND |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 85 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MJD44H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 85MHz |
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