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- 型号： SI8900EDB-T2-E1
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8900EDB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8900EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8900EDB-T2-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8900EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8900EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8900EDB-T2-E1 是一款MOSFET阵列器件，属于高性能、低导通电阻的N沟道功率MOSFET。该型号采用小型化封装（如TSOP-6），适用于空间受限但要求高效能的应用场景。 SI8900EDB-T2-E1 常用于便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高能效，延长电池续航时间。此外，该器件也广泛应用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）以及电机驱动电路中，适合需要快速开关响应和低功耗运行的场合。 由于其集成度高、开关速度快且热性能良好，SI8900EDB-T2-E1 还可用于LED背光驱动、热插拔控制器及各类电池保护电路中。在工业控制和消费类电子产品中，该器件能够胜任高密度PCB布局需求，提升系统整体可靠性。 综上，SI8900EDB-T2-E1 适用于对效率、尺寸和热性能有较高要求的便携式设备、电源管理和模拟开关应用，是现代低电压、高效率电子系统的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI8900EDB-T2-E1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1.1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 10-Micro Foot™（2x5） |
| 其它名称 | SI8900EDB-T2-E1DKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-UFBGA，CSPBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A |
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