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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7317TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7317TRPBF价格参考。International RectifierIRF7317TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7317TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7317TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7317TRPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - IRF7317TRPBF常用于高效的电源管理解决方案中,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和负载开关等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高系统的整体效率。 - 在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机,它可以用作电源路径控制或电池保护开关。 2. 电机驱动 - 该器件适用于小型电机驱动应用,例如风扇、泵和消费电子设备中的直流无刷电机(BLDC)。其双N沟道MOSFET结构能够提供高效、可靠的电流切换能力。 3. 信号切换与隔离 - 在需要高速信号切换的场合,例如数据通信、工业自动化和汽车电子系统中,IRF7317TRPBF可以作为信号切换元件使用,确保信号的快速传输和隔离。 4. 汽车电子 - 由于其出色的电气特性和可靠性,IRF7317TRPBF广泛应用于汽车电子领域,例如车身控制模块(BCM)、座椅调节、车窗升降器以及LED照明驱动等。 5. 消费类电子产品 - 在消费类电子产品中,如游戏机、数码相机和家用电器,该器件可用于实现负载切换、过流保护等功能,以提高产品的安全性和稳定性。 6. 工业控制 - 在工业自动化设备中,IRF7317TRPBF可用于继电器替代、固态继电器(SSR)设计以及各种传感器接口电路中,提供更高效、更紧凑的解决方案。 特性优势 - 低导通电阻:降低功耗,提升效率。 - 高开关速度:适合高频应用。 - 小封装尺寸:节省PCB空间,便于小型化设计。 - 高可靠性和耐用性:满足严苛环境下的应用需求。 综上所述,IRF7317TRPBF是一款性能优异的MOSFET阵列,适用于多种电力电子和信号处理场景,特别是在对效率、体积和可靠性有较高要求的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7317TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7317TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 18 nC |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 6A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7317PBFTR |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 29 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
栅极电荷Qg | 18 nC |
标准包装 | 4,000 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 6.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A,5.3A |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 12 V |