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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4936ADY-T1-GE3 是一款双N沟道 MOSFET 阵列器件,常用于需要高效、紧凑功率开关解决方案的应用中。该器件采用小型封装,具备低导通电阻和高功率密度,适合高频开关操作。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的控制电路,提供快速开关和低损耗。 3. 负载开关与电源分配:用于智能电源管理系统,实现对不同负载的高效控制与隔离。 4. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源管理模块。 5. 工业控制:用于PLC、传感器模块和自动化设备中的功率开关控制。 6. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明控制和车身控制模块等对空间和效率要求高的应用。 该器件因其集成度高、封装小巧、性能稳定,广泛应用于对空间和能效有较高要求的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4936ADY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 5.9A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A |