ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUD23N06-31L-T4-E3
Datasheet下载- 型号： SUD23N06-31L-T4-E3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD23N06-31L-T4-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD23N06-31L-T4-E3价格参考。VishaySUD23N06-31L-T4-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载SUD23N06-31L-T4-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD23N06-31L-T4-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD23N06-31L-T4-E3 是一款 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和高开关效率，适用于多种电源管理与功率控制场景。该器件常用于直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流电路以及电机驱动系统中，尤其适合需要高效能和小尺寸封装的应用。 典型应用场景包括：笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备的电源管理系统；服务器和通信设备中的负载开关与电源分配模块；电池供电系统（如电动工具、无人机和移动电源）中的开关控制；以及各类消费类电子产品中的热插拔保护电路和过流保护设计。 由于其采用小型化封装（如PowerPAK SO-8），有助于节省PCB空间，同时具备良好的热性能，SUD23N06-31L-T4-E3 在高密度电路板设计中表现出色。此外，该MOSFET支持快速开关操作，可提升整体系统能效，降低功耗和发热，广泛应用于中低电压（60V以内）的开关电源、LED驱动电源及电源管理单元中。 综上所述，SUD23N06-31L-T4-E3 凭借其高性能和紧凑设计，适用于对效率、体积和可靠性要求较高的现代电子设备电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD23N06-31L-T4-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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