Datasheet下载- 型号： SI1551DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1551DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1551DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1551DL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1551DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1551DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1551DL-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效、低电压控制的场合。该器件采用小尺寸封装，适用于空间受限的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源控制。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，实现精确控制。 3. 负载开关：用于控制便携设备（如智能手机、平板电脑）中不同功能模块的电源通断，以节省功耗。 4. LED背光驱动：用于调节显示器背光亮度，提供稳定的电流控制。 5. 工业控制：在自动化控制系统中作为高速开关，控制传感器、执行器等外围设备。 6. 汽车电子：用于车载电子系统中的低功耗开关控制，如车灯控制、电动窗控制等。 SI1551DL-T1-GE3具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合中低功率应用，且支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 290MA SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1551DL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 欧姆 @ 290mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1551DL-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 290mA，410mA |
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