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SI9945BDY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9945BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9945BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI9945BDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 5.3A 3.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI9945BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI9945BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9945BDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中不同负载的开启和关闭,实现低导通电阻(Rds(on))以减少功耗。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器的一部分,提高效率并降低能量损耗。 - 电池管理:在便携式设备中用于电池充电、放电保护以及过流保护。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用:在需要切换多个输入或输出信号的应用中,如音频、视频信号切换。 - 数据通信接口:用于 USB、I2C 等接口的信号切换和保护。 3. 电机驱动与控制 - 小型直流电机驱动:通过 PWM 控制实现电机的速度调节和方向控制。 - H 桥电路:用于双向电机驱动,支持正转和反转操作。 4. 保护电路 - 过流保护:利用 MOSFET 的快速响应特性检测和限制过电流。 - 短路保护:在发生短路时迅速切断电路,保护其他元器件。 5. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和信号切换。 - 可穿戴设备:由于其小型封装(TSOP6),适合空间受限的设计。 6. 工业应用 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号切换。 - 自动化控制:在 PLC 和继电器替代方案中使用。 SI9945BDY-T1-GE3 的特点包括低导通电阻(典型值为 8.5mΩ)、高电流能力(最大 6A 连续电流)以及小型封装,使其非常适合对效率、尺寸和可靠性要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOICMOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9945BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9945BDY-T1-GE3SI9945BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 65 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 4.3A,10V |
| 产品种类 | Dual MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9945BDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 58 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 4.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI9945BDY-GE3 |