Datasheet下载- 型号： IRF8910PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8910PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8910PBF价格参考。International RectifierIRF8910PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8910PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8910PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF8910PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号的MOSFET阵列主要用于以下应用场景： 1. 电源管理 - IRF8910PBF常用于高效电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 - 在电池充电器设计中，可用于控制充电电流和电压。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过精确控制栅极电压，可以实现对电机速度和方向的有效调节。 - 在家用电器（如风扇、水泵等）中，可作为电机驱动的核心组件。 3. 信号切换与负载控制 - 在需要频繁切换高电流或高电压负载的应用中，IRF8910PBF能够提供稳定的性能。例如，在工业自动化设备中用作继电器替代品。 - 可用于音频放大器中的信号切换，确保高质量的声音输出。 4. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和过温保护电路中，IRF8910PBF可以快速响应并切断异常电流路径，从而保护整个系统免受损害。 - 常见于USB端口保护、汽车电子系统中的保险丝功能替代方案。 5. 汽车电子 - 用于汽车电子控制系统，如车窗升降器、座椅调节器和雨刷控制器等。这些应用要求器件具备高可靠性和耐高温能力，而IRF8910PBF正好满足这些需求。 6. 照明控制 - 在LED照明系统中，IRF8910PBF可用于调光控制和恒流驱动，以实现节能和稳定亮度的效果。 总结 IRF8910PBF凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。它特别适合需要高性能、低功耗和快速响应的场景。在选择具体应用时，需根据实际工作条件（如电压、电流、频率等）进行合理设计和匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8910PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8910PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 7.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 9.7 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 18.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 7.4 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8910.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8910.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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