Datasheet下载- 型号： CTLDM304P-M832DS TR
- 制造商： Central Semiconductor Corp
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CTLDM304P-M832DS TR由Central Semiconductor Corp设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CTLDM304P-M832DS TR价格参考。Central Semiconductor CorpCTLDM304P-M832DS TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CTLDM304P-M832DS TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CTLDM304P-M832DS TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CTLDM304P-M832DS TR 是由 Central Semiconductor Corp 生产的一款MOSFET阵列产品，属于P沟道场效应晶体管。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），适用于空间受限的高密度电路设计。 其主要应用场景包括便携式电子设备中的电源管理与开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。由于具备低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET阵列常用于电池供电系统的负载开关、电压切换以及信号路由功能，有助于降低功耗并提升能效。 此外，该器件也适用于中低功率的DC-DC转换电路，作为同步整流或电平转换元件，提高电源转换效率。在工业控制和消费类电子产品中，可用于驱动LED、继电器或小型电机等负载。 凭借其稳定性和可靠性，CTLDM304P-M832DS TR 还广泛应用于各类嵌入式系统和通信模块中，实现高效的信号控制与电源分配。整体而言，该型号适合对体积、功耗和响应速度有较高要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.2A DL TLM832DS |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Central Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CTLDM304P-M832DS TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 4.2A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-TLM |
| 其它名称 | CTLDM304P-M832DS DKR |
| 功率-最大值 | 1.65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A |
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