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  • 型号: IRF7501TR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7501TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7501TR价格参考。International RectifierIRF7501TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7501TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7501TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7501TR的器件属于晶体管中的MOSFET阵列产品,常用于电源管理和功率控制应用。该器件集成了多个MOSFET单元,具有高效率、低导通电阻和紧凑封装的特点,适用于需要高效功率转换的场景。

IRF7501TR主要应用于以下领域:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高转换效率并减小电路体积;
2. 电机控制:用于驱动直流电机、步进电机或无刷电机,提供高效、可靠的开关控制;
3. 负载开关:在电源管理系统中作为高侧或低侧开关,控制电源的通断;
4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池组免受过流或短路损害;
5. 汽车电子:如车载电源系统、LED照明驱动、车载电机控制等;
6. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器、工业电源等设备中,实现高效的功率控制。

该器件采用TSSOP封装,适合表面贴装工艺,适用于高密度和高效率要求的电路设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF7501TR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

260pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

135 毫欧 @ 1.7A,4.5V

产品目录页面

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供应商器件封装

Micro8™

其它名称

IRF7501DKR

功率-最大值

1.25W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7501.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7501.spi

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