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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138PS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138PS,115价格参考¥0.20-¥0.20。NXP SemiconductorsBSS138PS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 320mA 420mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载BSS138PS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS138PS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS138PS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双N沟道MOSFET阵列,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于各类电子设备中。该器件采用SOT-363封装,具有小尺寸、低功耗和高开关速度的特点,适用于空间受限的便携式电子产品。 其典型应用场景包括: 1. 信号切换与电平转换:常用于数字电路中的I²C、UART等通信接口的电压电平转换,实现不同电压域(如1.8V与3.3V、5V系统)之间的安全信号传输。 2. 电源管理:在电池供电设备中用于负载开关,控制电源通断以降低待机功耗,提高能效。 3. 便携式设备:广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于GPIO扩展、外设控制和小型电机驱动。 4. 逻辑门电路与驱动电路:作为开关元件用于逻辑控制或驱动LED、传感器等低功率负载。 BSS138PS,115具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合工业级和消费类应用。其低导通电阻(RDS(on))和快速响应特性,使其在高频开关场合表现优异。此外,集成两个MOSFET于单一芯片,有助于节省PCB空间并简化设计。 综上,BSS138PS,115是一款高性能、高集成度的MOSFET阵列,特别适用于需要高效信号控制与电源管理的小型化电子系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPMOSFET N-CH 60 V 320 mA |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 320 mA |
Id-连续漏极电流 | 320 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138PS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BSS138PS,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 280 mW |
Pd-功率耗散 | 280 mW |
Qg-GateCharge | 0.8 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 300mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-8393-2 |
功率-最大值 | 420mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 700 mS |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 320mA |