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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8926A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8926A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8926A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS8926A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8926A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8926A是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双N沟道MOSFET阵列,采用1.8V逻辑电平兼容设计,适用于低电压、高效率的开关应用。其主要应用场景包括便携式电子设备和电池供电系统,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备,用于电源管理、负载开关和电池切换控制。由于导通电阻低(Rds(on)典型值仅为14mΩ),能有效减少功耗和发热,提升能效。 该器件也广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流环节,提高转换效率。此外,在热插拔电路、电机驱动和LED驱动中,FDS8926A凭借快速开关能力和良好的热稳定性,表现出优异的性能。其小型化封装(如PowerWDFN)有助于节省PCB空间,满足现代电子产品小型化需求。总体而言,FDS8926A适用于对空间、功耗和效率要求较高的消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A SO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDS8926A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 5.5A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS8926ADKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A |