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- 型号： SI1026X-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1026X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1026X-T1-E3价格参考。VishaySI1026X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1026X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1026X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1026X-T1-E3 是一款双通道N沟道MOSFET阵列，采用SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关速度，适合用于电源管理与信号切换应用。 典型应用场景包括：便携式消费类电子产品中的负载开关或电源开关控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；电池供电系统中的电源分配与节能管理；以及DC-DC转换器中的同步整流或驱动电路。此外，其双MOSFET结构也适用于逻辑控制下的电平转换或小功率电机驱动。 SI1026X-T1-E3 还常用于热插拔电路和LED驱动模块，能够有效减少功耗和发热，提高系统效率。因其符合RoHS标准且可靠性高，广泛应用于工业控制、通信模块及家用电器中的小型电子控制单元。 总之，该型号凭借小尺寸、高性能和高可靠性，特别适用于需要高效能、低功耗和紧凑布局的现代电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1026X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1026X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 305mA |
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