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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7104PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7104PBF价格参考。International RectifierIRF7104PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7104PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7104PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7104PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - IRF7104PBF广泛用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)以及负载点(POL)转换器中。其低导通电阻特性有助于提高效率,减少功率损耗。 - 在电池管理系统(BMS)中,可用于电池充放电控制和保护电路。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效且稳定的电流控制。 - 在家电领域,例如风扇、水泵等设备中,可作为开关元件实现电机的速度调节。 3. 信号切换与保护 - 在通信设备和工业控制系统中,用于信号切换、线路保护和隔离。 - 其快速开关特性使其适合高频信号处理场景。 4. 消费类电子产品 - 常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源适配器及内部电源管理单元。 - 用于USB充电接口的过流保护和快速切换功能。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,如车窗升降器、雨刷电机、座椅调节等应用中担任开关角色。 - 也可用于LED照明驱动电路,确保亮度调节的精准性和稳定性。 6. 其他应用 - 用作固态继电器(SSR)中的核心元件,替代传统机械继电器以提高可靠性。 - 在音频功放电路中,作为输出级开关器件,支持高效的音频信号放大。 总结来说,IRF7104PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,成为众多电力电子设计中的理想选择,特别适合需要高效能量转换和快速响应的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOICMOSFET DUAL -20V P-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7104PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7104PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 9.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 1A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |