Datasheet下载- 型号： SI7842DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7842DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7842DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7842DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7842DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7842DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7842DP-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET，属于FET晶体管中的MOSFET阵列产品。该器件常用于需要高效开关和功率控制的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源管理系统，提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关响应和低导通电阻。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电源对负载的供给，常见于电池供电设备中。 4. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明控制、电动窗或座椅的电机控制模块。 5. 工业自动化：用于PLC、继电器替代方案及传感器接口电路中的功率开关。 6. 消费类电子产品：例如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块。 该器件采用TDFN封装，体积小、热性能好，适合高密度PCB布局，且具备良好的导通特性和耐用性，适用于中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7842DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7842DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A |
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