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SI7913DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7913DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7913DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7913DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 5A 1.3W 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 Dual。您可以下载SI7913DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7913DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7913DN-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是该型号的应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:SI7913DN-T1-GE3 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用作负载开关,能够高效地控制电路中不同负载的开启和关闭。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该器件可用作同步整流器的开关元件,以提高效率并减少功率损耗。 - 电池保护:适用于便携式设备中的电池管理系统,用于防止过流、短路或其他异常情况。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度和方向。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于实现双向电机控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换:由于其快速开关特性和低电容,适合用于高频信号路径中的切换应用。 - 音频信号切换:在音频设备中,可用于切换不同的输入或输出信号源。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源分配、USB 充电管理和外围设备接口控制。 - 游戏机和多媒体设备:用于电源管理和信号路由。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号切换,确保系统稳定运行。 - 自动化控制:在工业控制系统中,用于驱动继电器、电磁阀等小型执行器。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如导航系统、娱乐系统和照明控制,需要高效且可靠的开关元件。 - 电动座椅和车窗控制:用于驱动小型电机或执行器。 特性优势: - 低 Rds(on):降低功耗,提高效率。 - 小封装(TSOP-6):节省空间,适合紧凑型设计。 - 高开关速度:支持高频应用,减少开关损耗。 综上所述,SI7913DN-T1-GE3 广泛应用于需要高效、紧凑和可靠开关解决方案的各类电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72615 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7913DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7913DN-T1-GE3SI7913DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 7.4A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7913DN-T1-GE3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7913DN-GE3 |