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  • 型号: SI7913DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7913DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7913DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7913DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7913DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 5A 1.3W 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 Dual。您可以下载SI7913DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7913DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7913DN-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是该型号的应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:SI7913DN-T1-GE3 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用作负载开关,能够高效地控制电路中不同负载的开启和关闭。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该器件可用作同步整流器的开关元件,以提高效率并减少功率损耗。
   - 电池保护:适用于便携式设备中的电池管理系统,用于防止过流、短路或其他异常情况。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度和方向。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于实现双向电机控制。

 3. 信号切换
   - 高速信号切换:由于其快速开关特性和低电容,适合用于高频信号路径中的切换应用。
   - 音频信号切换:在音频设备中,可用于切换不同的输入或输出信号源。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源分配、USB 充电管理和外围设备接口控制。
   - 游戏机和多媒体设备:用于电源管理和信号路由。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号切换,确保系统稳定运行。
   - 自动化控制:在工业控制系统中,用于驱动继电器、电磁阀等小型执行器。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如导航系统、娱乐系统和照明控制,需要高效且可靠的开关元件。
   - 电动座椅和车窗控制:用于驱动小型电机或执行器。

 特性优势:
- 低 Rds(on):降低功耗,提高效率。
- 小封装(TSOP-6):节省空间,适合紧凑型设计。
- 高开关速度:支持高频应用,减少开关损耗。

综上所述,SI7913DN-T1-GE3 广泛应用于需要高效、紧凑和可靠开关解决方案的各类电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72615

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7913DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7913DN-T1-GE3SI7913DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

37 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

37 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

70 ns

下降时间

70 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8 Dual

其它名称

SI7913DN-T1-GE3-ND
SI7913DN-T1-GE3TR
SI7913DNT1GE3

典型关闭延迟时间

72 ns

功率-最大值

1.3W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8 双

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI7913DN-GE3

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