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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STS7C4F30L由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS7C4F30L价格参考。STMicroelectronicsSTS7C4F30L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STS7C4F30L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STS7C4F30L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STS7C4F30L 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效功率控制和低导通电阻的场合。该器件采用先进的STripFET™技术,具备高耐压、低RDS(on)、高可靠性和紧凑封装等特点。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理,特别是在电池供电设备中,有助于提高能效并延长电池寿命。 2. 电机控制:用于直流电机驱动、步进电机控制等场合,支持快速开关和高电流负载能力,适用于工业自动化设备和机器人系统。 3. 照明系统:适用于LED照明的调光与开关控制,支持PWM调光方式,提升光控精度和能效。 4. 汽车电子:可用于车载电源系统、电动门窗、座椅调节等小功率电机控制,符合汽车电子对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业控制与自动化:作为固态开关使用,控制加热元件、风扇、继电器替代等,提升系统响应速度和寿命。 该器件通常采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子及物联网设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STS7C4F30L |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 497-3232-1 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A,4A |