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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD210800SCL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD210800SCL价格参考。Advanced Linear DevicesALD210800SCL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ALD210800SCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD210800SCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD210800SCL是Advanced Linear Devices Inc.生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高集成度和高性能的模拟及混合信号电路设计中。该器件内部集成了多个匹配良好的MOSFET晶体管,适用于精密模拟电路、电流镜、差分放大器、有源负载、传感器接口电路等场景。 其高匹配性和低温漂特性使其特别适合用于精密放大器设计、数据采集系统、工业控制设备以及便携式仪器仪表中。此外,该器件也可用于电源管理和模拟开关电路,提供高效、稳定的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOICMOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
Id-连续漏极电流 | 12 mA |
品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD210800SCLEPAD®, Zero Threshold™ |
数据手册 | |
产品型号 | ALD210800SCL |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 20mV @ 10µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 欧姆 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
其它名称 | 1014-1210 |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 管件 |
商标 | Advanced Linear Devices |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-16 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 10 V |
漏极连续电流 | 12 mA |
漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/advanced-linear-devices-precision-n-channel-mosfet/3624 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80mA |
系列 | ALD210800S |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Quad Dual Common Source |