Datasheet下载- 型号： NTJD2152PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD2152PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD2152PT1G价格参考。ON SemiconductorNTJD2152PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTJD2152PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD2152PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJD2152PT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，实现高效的能量传输与分配。 2. 电机控制：用于小型电机或步进电机驱动电路，提供快速开关响应和良好热性能。 3. LED照明：作为LED驱动电路中的开关元件，支持调光与高效能运作。 4. 电池供电设备：如便携式电子产品、无人机等，因其低功耗和小型封装，适合空间受限的设计。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块和继电器替代电路中，实现高速与高可靠性控制。 该器件采用TSSOP封装，具备双MOSFET通道设计，适合需要高集成度与节省PCB空间的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD2152PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 570mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NTJD2152PT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 775mA |
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