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  • 型号: IRF7752TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7752TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7752TRPBF价格参考。International RectifierIRF7752TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7752TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7752TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies旗下的IRF7752TRPBF是一款双N沟道MOSFET阵列,属于高性能功率MOSFET产品,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。该器件采用SO-8封装,具有低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on))特性,适合高频开关操作。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于同步整流、DC-DC转换器、降压(Buck)或升压(Boost)转换器中,提升电源转换效率,降低功耗。  
2. 负载开关与电源开关:在便携式设备(如笔记本电脑、平板电脑)中用于控制电源通断,实现节能与过流保护。  
3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路,提供快速响应和低损耗控制。  
4. 热插拔与冗余电源系统:用于服务器、通信设备中的电源模块,支持安全热插拔功能。  
5. LED驱动与照明控制:在高亮度LED调光电路中作为开关元件,实现精确亮度调节。

IRF7752TRPBF符合RoHS标准,无铅环保,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等对空间和能效要求较高的领域。其集成化设计有助于缩小PCB面积,提高系统集成度。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOPMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4.6 A

Id-连续漏极电流

4.6 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7752TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7752TRPBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

9 nC

Qg-栅极电荷

9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

861pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 4.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-TSSOP

其它名称

IRF7752TRPBFDKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

封装/箱体

TSSOP-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.6A

配置

Dual

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