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产品简介:
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Infineon Technologies 的 IRF7105QTRPBF 是一款符合汽车级标准的P沟道与N沟道组合MOSFET阵列,适用于需要高效、紧凑型电源管理的场景。该器件集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET,采用节省空间的SOT-363(TSOP-6)封装,具备良好的热性能和可靠性,特别适合在空间受限和高要求环境中使用。 主要应用场景包括: 1. 汽车电子系统:由于其符合AEC-Q101汽车级认证,广泛用于车载电源管理模块、车身控制模块(如车窗升降、门锁控制)、LED照明驱动及小型电机控制等。 2. 电池供电设备:在便携式设备(如移动电源、手持仪器)中,用于电源开关或负载切换,实现低功耗和高效率的电源控制。 3. DC-DC转换器:适用于同步降压或升压电路中的高端与低端开关,提升转换效率,减少能量损耗。 4. 电机驱动:可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路,实现正反转控制,常见于消费类小家电或工业控制设备。 5. 热插拔与负载开关:作为电源通断控制元件,保护后级电路免受浪涌电流影响,提高系统稳定性。 IRF7105QTRPBF 具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性,是汽车和工业领域中小功率集成化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7105QTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 1A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7105QTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A,2.3A |