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型号： MR25H40CDCR
制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MR25H40CDCR由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR25H40CDCR价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR25H40CDCR封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM）存储器 IC 4Mb （512K x 8） SPI 40MHz 8-DFN-EP，大型标志（5x6）。您可以下载MR25H40CDCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR25H40CDCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Everspin Technologies 的 MR25H40CDCR 是一款 4-Mbit（512 KB）串行 SPI 接口的磁阻随机存取存储器（MRAM），采用 8 引脚 SOIC 封装，工作温度范围为 –40°C 至 +85°C，支持工业级可靠性。其核心优势在于非易失性、高速读写（ns级写入延迟）、无限擦写次数（>10¹⁵次）、抗辐射及宽温稳定性。

典型应用场景包括：  
✅ 工业自动化与PLC：用于实时保存运行参数、校准数据、故障日志，在断电瞬间无延迟持久化，避免传统EEPROM/Flash写入慢、寿命短的问题；  
✅ 网络通信设备：在交换机、路由器中缓存配置表、MAC地址表或会话状态，实现毫秒级快速重启；  
✅ 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 2）：应用于ADAS控制单元、车身域控制器中存储关键传感器标定值、安全事件记录等，满足功能安全（ISO 26262）对数据可靠性的严苛要求；  
✅ 医疗设备：如便携式监护仪、植入式器械（需认证版本），确保生命体征历史数据在突发断电下零丢失；  
✅ 航天与军工：凭借抗单粒子翻转（SEU）和耐高辐射特性，适用于卫星数据记录、飞行控制系统中的关键状态快照存储。

该器件无需备用电池或电容，简化系统设计，替代传统NVSRAM、FRAM或EEPROM+RAM组合方案，特别适合对数据完整性、写入速度、长期可靠性及低功耗待机有高要求的嵌入式场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN
产品分类	存储器
品牌	Everspin Technologies Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MR25H40CDCR
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	8-DFN-EP，大型标志（5x6）
包装	带卷（TR）
存储器类型	MRAM（磁阻 RAM）
存储容量	4M （512K x 8）
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	SPI 串行
标准包装	4,000
格式-存储器	RAM
电压-电源	3 V ~ 3.6 V
速度	40MHz