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产品简介:
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Infineon Technologies 的 IRF7752GTRPBF 是一款采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET阵列,属于高性能功率MOSFET产品,广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关特性的场合。该器件常用于电源管理与转换系统中,如同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。 典型应用场景包括便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑)中的电压调节模块(VRM),用于提升能效并降低功耗;也可用于服务器和通信设备的电源系统,实现高密度、高效率的电源设计。其低栅极电荷和低输出电容特性,使其在高频开关应用中表现出色,有助于减小电路尺寸并提高整体效率。 此外,IRF7752GTRPBF 采用小型化表面贴装封装(如SO-8或类似封装),适合空间受限的应用环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子及汽车电子中的辅助电源系统。由于符合RoHS标准且无铅,也满足现代电子产品对环保的要求。 总之,IRF7752GTRPBF 凭借其优异的电气性能和紧凑设计,是各类中低功率开关电源和功率控制电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRF7752GTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 861pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 4.6A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | IRF7752GTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A |