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  • 型号: IRF7752GTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7752GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7752GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7752GTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7752GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7752GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF7752GTRPBF 是一款采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET阵列,属于高性能功率MOSFET产品,广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关特性的场合。该器件常用于电源管理与转换系统中,如同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。

典型应用场景包括便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑)中的电压调节模块(VRM),用于提升能效并降低功耗;也可用于服务器和通信设备的电源系统,实现高密度、高效率的电源设计。其低栅极电荷和低输出电容特性,使其在高频开关应用中表现出色,有助于减小电路尺寸并提高整体效率。

此外,IRF7752GTRPBF 采用小型化表面贴装封装(如SO-8或类似封装),适合空间受限的应用环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子及汽车电子中的辅助电源系统。由于符合RoHS标准且无铅,也满足现代电子产品对环保的要求。

总之,IRF7752GTRPBF 凭借其优异的电气性能和紧凑设计,是各类中低功率开关电源和功率控制电路的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF7752GTRPBF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

861pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 4.6A,10V

供应商器件封装

8-TSSOP

其它名称

IRF7752GTRPBFDKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.6A

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