Datasheet下载- 型号： SI7216DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7216DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7216DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7216DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7216DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7216DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7216DN-T1-GE3是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双N沟道逻辑电平驱动结构（实际为P沟道），常用于电源管理与开关控制应用。该器件具有低导通电阻、高开关效率和小尺寸封装（如PowerPAK SO-8双通道封装），适用于空间受限且对功耗敏感的设计。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的负载开关或电源路径管理；电池供电系统中的反向电流阻断与多电源切换；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关；以及电机驱动、LED驱动和热插拔电路中的功率控制。其逻辑兼容栅极设计支持直接由微控制器或数字信号驱动，简化了控制电路设计。 此外，SI7216DN-T1-GE3具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、消费类电子产品和通信设备中对效率与稳定性要求较高的场合。由于其集成化设计，可减少外围元件数量，提升整体系统紧凑性与能效表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8MOSFET Dual N-Ch MOSFET 40V 32mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7216DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7216DN-T1-GE3SI7216DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 142 ns, 57 ns |
| 下降时间 | 7 ns, 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7216DN-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 19 ns |
| 功率-最大值 | 20.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7216DN-GE3 |
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