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产品简介:
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NVMFD5877NLT3G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效功率管理的场合。该器件集成了多个MOSFET,适用于电源转换、负载开关和电机控制等场景。 其典型应用包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等,提高电源转换效率,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源系统。 2. 负载开关控制:在电池供电设备中作为高效开关,控制电源通断,减少待机功耗,适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 3. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,适用于打印机、扫描仪、机器人等自动化设备。 4. 工业控制系统:如PLC、工业电源模块,实现快速开关控制和高效能管理。 由于其封装小巧、导通电阻低、可靠性高,适合高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、工业控制和通信领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC FL |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5877NLT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 7.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A |