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Datasheet下载- 型号： TPC8207(TE12L)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8207(TE12L)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8207(TE12L)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8207(TE12L)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC8207(TE12L)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC8207(TE12L) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TPC8207(TE12L)的MOSFET阵列，主要应用于需要高效功率控制和小型化设计的电子设备中。该器件由东芝半导体与存储（Toshiba Semiconductor and Storage）生产，属于功率MOSFET阵列，具备两个N沟道MOSFET封装在一个芯片上的结构，适合用于负载开关、电源管理及电机驱动等场景。 常见应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电源切换和节能控制。 2. 电机驱动电路：在小型电机控制中作为高效开关使用，如无人机、机器人和电动工具。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED背光、风扇和加热元件。 4. 电池供电设备：因其低导通电阻和小封装，适用于对功耗和空间敏感的电池供电系统。 5. 工业控制设备：如PLC、传感器模块和小型自动化设备中的功率控制部分。 该器件具有低导通电阻、高效率、小型封装等优点，适合高密度电路设计和高效能需求的应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8207(TE12L) |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 4.8A，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 其它名称 | TPC8207DKR |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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