Datasheet下载- 型号： IRF7910PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7910PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7910PBF价格参考。International RectifierIRF7910PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7910PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7910PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7910PBF是一款晶体管阵列，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - IRF7910PBF可用于开关电源、DC-DC转换器以及电压调节模块中，提供高效的功率切换功能。 - 其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，IRF7910PBF可以作为功率级元件，用于控制电机的启停、速度和方向。 - 常见于家用电器（如风扇、水泵）和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 - 该器件可用作负载开关，实现对不同电路负载的动态控制。 - 在消费电子产品（如智能手机、平板电脑）中，用于管理电池供电和外围设备的供电状态。 4. 信号切换 - IRF7910PBF适合用于高速信号切换场景，例如数据通信接口或音频信号路径中的切换操作。 - 其快速开关能力和低电容特性使其成为信号切换的理想选择。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和热保护等电路中，IRF7910PBF可以起到关键作用。 - 它能够快速响应异常情况并切断电流路径，从而保护整个系统免受损坏。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，IRF7910PBF可用于车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等需要功率切换的应用。 - 它还适用于车载信息娱乐系统中的电源管理和信号切换。 7. 便携式设备 - 由于其紧凑的封装和高效性能，IRF7910PBF广泛应用于便携式设备，如笔记本电脑适配器、移动电源和无线充电器。 总结来说，IRF7910PBF凭借其高性能和可靠性，适用于多种电力电子和信号处理场景，特别是在需要高效功率切换和低功耗的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOICMOSFET 12V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 17nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7910PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7910PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.6 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.6 V to 2 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 17 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7910.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7910.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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