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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2038R-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2038R-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2038R-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2038R-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2038R-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2038R-EL-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、低功耗开关控制的场合。该器件采用双P沟道MOSFET结构,常用于负载开关、电源管理、电池供电设备以及便携式电子产品中。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理模块:用于智能控制电源通断,提升系统能效,适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电源管理系统。 2. 负载开关控制:在需要多路负载控制的系统中,如工业控制设备、通信模块中,作为高侧或低侧开关使用。 3. 电池供电设备:由于其低导通电阻和小封装,适合用于对功耗敏感的电池供电设备,以延长电池寿命。 4. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或继电器替代方案中,提供更快的开关速度和更高的可靠性。 5. 汽车电子系统:可用于车载信息娱乐系统、辅助电源系统等对空间和效率有要求的场景。 该器件采用TSSOP封装,适合高密度PCB布局,适用于自动化装配流程,广泛应用于消费类电子、工业控制和车载电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 5A 8SOP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HAT2038R-EL-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 3A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A |