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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPC8014S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPC8014S价格参考。Fairchild SemiconductorFDPC8014S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDPC8014S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPC8014S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPC8014S 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款集成功率级模块,内部集成了多个MOSFET,属于FET、MOSFET阵列类别。该器件主要面向高性能电源转换应用,特别适用于需要高效率、高功率密度和紧凑设计的场合。 FDPC8014S的典型应用场景包括: 1. 服务器电源系统:用于高效DC-DC转换器,满足服务器对高可靠性和高效率的严苛要求。 2. 通信设备电源:在基站、路由器等通信设备中,用于构建同步整流降压(Buck)转换器,提升能效并减小电路板空间占用。 3. 工业电源:适用于工业自动化设备中的电源模块,如PLC、电机驱动器等,提供稳定、高效的电压转换。 4. 笔记本电脑及高性能计算设备:用于VRM(电压调节模块)设计,为CPU或GPU提供精确的供电管理。 该器件采用紧凑封装,集成上桥和下桥MOSFET,具备低导通电阻和优良的热性能,有助于提高系统效率并简化设计。此外,其高集成度也有助于减少外围元件数量,提升系统可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIPMOSFET PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPC8014SPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDPC8014S |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W, 2.3 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W, 2.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 2 ns, 6 ns |
下降时间 | 2 ns, 4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2375pF @ 13V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDPC8014SCT |
典型关闭延迟时间 | 24 ns, 47 ns |
功率-最大值 | 2.1W, 2.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 207.733 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 182 S, 315 S |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A, 41A |
系列 | FDPC8014S |
配置 | Dual Asymmetric |