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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI6943BDQ-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6943BDQ-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6943BDQ-T1-E3价格参考。VishaySI6943BDQ-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6943BDQ-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6943BDQ-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6943BDQ-T1-EE 是一款P沟道增强型MOSFET阵列器件，采用双NexFET™封装，具有低导通电阻和高开关效率。该型号属于晶体管中的MOSFET阵列类别，适用于需要高集成度和高效能的电源管理场景。 SI6943BDQ-T1-E3 主要应用于便携式电子设备和电池供电系统中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源等。其P沟道特性使其常用于负载开关、电源开关控制和电池管理系统（BMS）中，实现对电源通断的快速响应与低功耗控制。此外，该器件也广泛用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关应用，有助于提高转换效率并减少发热。 由于其小型化封装（如PowerPAK® 1.5x1.0），SI6943BDQ-T1-E3 非常适合空间受限的高密度电路板设计。同时，其良好的热性能和可靠性也支持在工业控制、消费类电子产品和物联网（IoT）设备中稳定运行。 总之，SI6943BDQ-T1-E3 凭借其高性能、小尺寸和低功耗特性，广泛应用于各类便携式设备的电源管理与开关控制场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI6943BDQ-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6943BDQ-T1-E3TR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A |
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