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BF820W,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF820W,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF820W,115价格参考。NXP SemiconductorsBF820W,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 50mA 60MHz 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载BF820W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF820W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BF820W,115 是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),适用于高频、低噪声放大应用。该器件采用SOT-23(TO-236AB)小型表面贴装封装,具有优异的射频性能和高截止频率(fT高达7 GHz),适合在高频信号处理中稳定工作。 BF820W,115 常用于无线通信系统中的射频(RF)小信号放大电路,例如Wi-Fi模块、蓝牙设备、无线传感器网络及物联网(IoT)终端设备。其低噪声系数特性使其在接收前端放大器中表现优异,可提升信号接收灵敏度与系统整体性能。此外,该晶体管也适用于UHF频段的振荡器、混频器和调制解调电路。 由于其小型化封装和高可靠性,BF820W,115 广泛应用于便携式电子设备,如智能手机、无线耳机、智能家居控制模块和射频识别(RFID)读写器等。在工业控制和汽车电子中,该器件也可用于车载无线通信模块或远程无钥匙进入系统中的射频信号处理。 总体而言,BF820W,115 凭借其高频响应、低功耗和紧凑尺寸,是现代无线连接应用中理想的低噪声放大解决方案,特别适合对空间和能效要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 300V 50MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BF820W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF820W,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6948-1 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 at 25 mA at 20 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 at 25 mA at 20 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 零件号别名 | BF820W T/R |
| 频率-跃迁 | 60MHz |