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- 型号： KSH122ITU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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KSH122ITU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSH122ITU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSH122ITU价格参考。Fairchild SemiconductorKSH122ITU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 8A 1.75W 通孔 I-PAK。您可以下载KSH122ITU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSH122ITU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSH122ITU是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压、高频NPN型双极结型晶体管（BJT），采用表面贴装的TO-252（D-Pak）封装，具有优良的热稳定性和可靠性。该器件主要设计用于高功率、高频率开关应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC和DC-DC转换器中的功率开关，尤其在高电压环境下表现优异，如工业电源、服务器电源等。 2. 照明驱动电路：常用于高强度气体放电灯（HID）、荧光灯电子镇流器等照明系统中，支持高频工作，提升能效。 3. 电机驱动与控制：在中小功率电机控制模块中作为驱动级开关元件，广泛应用于家电、工业自动化设备中。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中的功率转换环节，具备良好的耐压与开关性能。 5. 高频放大电路：可在射频或中频放大器中作为线性放大元件，适用于特定通信或工业设备。 KSH122ITU具备高达1000V的集射极耐压（VCEO），适合高电压环境；其高电流能力（可达2A）和优良的开关特性，使其在高效率、小型化电源设计中具有优势。同时，TO-252封装便于散热，适用于紧凑型高功率密度设计。综合来看，该器件适用于对可靠性、耐压和高频性能要求较高的工业与电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 100V 8A I-PAK达林顿晶体管 NPN Si Transistor Darlington |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor KSH122ITU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSH122ITU |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 80mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 70 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | KSH122 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 零件号别名 | KSH122ITU_NL |
| 频率-跃迁 | - |
