Datasheet下载- 型号： PBSS9410PA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS9410PA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS9410PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS9410PA,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS9410PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS9410PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS9410PA,115 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用小型 SOT1215 封装（0.6×0.3 mm，超薄），具备低饱和压降（VCE(sat) 典型值仅 0.15 V @ IC=1 A）、高电流增益（hFE = 100–300 @ IC=0.5 A）及高开关速度（fT ≈ 150 MHz）。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED驱动或DC-DC转换器的同步整流/控制级，凭借低VCE(sat)提升能效与电池续航； 2. 高密度PCB空间受限设计：SOT1215封装支持0201级贴装，适用于紧凑型模块（如IoT传感器节点、微型马达驱动板）中替代传统SOT23器件； 3. 中速数字开关与电平转换：在MCU GPIO扩展、I²C/SPI总线缓冲、逻辑电平适配等场景中提供可靠通断控制（IC最大1.2 A，PD 480 mW）； 4. 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过，但该系列常用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号调理）。 该器件不适用于大功率放大或高频射频应用，但以其小尺寸、低功耗和稳健开关特性，在消费类与工业嵌入式系统的精密电源与信号控制环节具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 2.7A SOT1061两极晶体管 - BJT 100V 2.7A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS9410PA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS9410PA,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 135mA，2.7A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 170 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-6423-1 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2.7A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 295 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 100 V |
| 集电极连续电流 | - 2.7 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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