Datasheet下载- 型号： PBSS9410PA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
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产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 2.7A SOT1061两极晶体管 - BJT 100V 2.7A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS9410PA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS9410PA,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 135mA，2.7A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 170 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-6423-1 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2.7A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 295 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 100 V |
| 集电极连续电流 | - 2.7 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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