Datasheet下载- 型号： PZT651T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZT651T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZT651T1G价格参考￥0.90-￥0.90。ON SemiconductorPZT651T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZT651T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZT651T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZT651T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件常用于中功率开关和放大电路。 典型应用场景包括： 1. 电源管理与开关电路：适用于DC-DC转换器、负载开关等场合，能够有效控制电流流动，实现高效能电源管理。 2. 马达驱动电路：由于其具备一定电流承载能力，适合用于小型直流电机的驱动与控制。 3. 继电器或LED驱动：可作为继电器线圈或高亮度LED的开关元件，实现低功耗控制高负载的功能。 4. 音频放大器：在低频模拟信号放大应用中表现良好，适用于前置放大或低功率音频输出电路。 5. 工业自动化设备：如传感器信号处理、执行机构控制等场景，具备良好的稳定性和耐用性。 该晶体管采用SOT-223封装，具有较好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS HC NPN 2A 60V SOT223两极晶体管 - BJT 2A 80V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor PZT651T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZT651T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 75 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | PZT651T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.8 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
| 系列 | PZT651 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 75MHz |
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