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BUL49D产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUL49D由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL49D价格参考。STMicroelectronicsBUL49D封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 450V 5A 80W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL49D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUL49D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的BUL49D是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用: BUL49D可以用作电子开关,在数字电路或电源管理电路中控制负载的通断。例如,驱动继电器、LED或小型电机等低功率设备。 2. 信号放大: 作为一款双极型晶体管,BUL49D能够用于音频信号或其他弱电信号的放大。它适合低频至中频范围内的信号处理,如音频前置放大器或传感器信号调理电路。 3. 电流放大: 在需要增加输出电流的场景中,BUL49D可以将微弱输入电流转换为较大的输出电流,以驱动更高功率的负载。 4. 线性稳压器: BUL49D可以与稳压二极管或运算放大器配合使用,构建简单的线性稳压电路,为低功耗设备提供稳定的电源电压。 5. 脉宽调制(PWM)控制: 在直流电机控制或LED亮度调节等应用中,BUL49D可作为功率级元件,通过PWM信号实现速度或亮度的精确调节。 6. 保护电路: BUL49D可用于设计过流保护或短路保护电路,当检测到异常情况时,迅速切断电路以保护其他关键组件。 7. 射频(RF)和通信电路: 尽管BUL49D的主要参数针对中低频应用,但在某些特定条件下,它也可以用于简单的射频信号放大或混频电路。 特点总结: - 耐压能力:BUL49D具有较高的集电极-发射极击穿电压(BVceo),适用于较高电压的工作环境。 - 电流容量:其额定电流适中,适合中小型负载驱动。 - 封装形式:通常采用标准TO封装,便于安装和散热。 在实际应用中,选择BUL49D时需根据具体电路需求,结合其电气参数(如电流增益hFE、最大功耗等)进行合理设计,并确保工作条件符合器件规格书的要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR POWER NPN TO-220两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BUL49D- |
数据手册 | |
产品型号 | BUL49D |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 800mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 4 @ 7A,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-14156-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF62898?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 80 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 450V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
系列 | BUL49D |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 450 V |
集电极—基极电压VCBO | 850 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
集电极连续电流 | 5 A |
频率-跃迁 | - |