Datasheet下载- 型号： PBHV8215Z,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV8215Z,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV8215Z,115价格参考。NXP SemiconductorsPBHV8215Z,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBHV8215Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBHV8215Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBHV8215Z,115 是 NXP USA Inc. 推出的高电压 NPN 双极结型晶体管（BJT），主要面向高压、中功率开关应用。其典型集电极-发射极击穿电压 VCEO 高达 150 V，连续集电极电流 IC 为 500 mA，具备良好的开关速度与饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.35 V @ IC = 250 mA），并采用小型 SOT-223 表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。 该器件典型应用场景包括： ✅ LED 驱动电路：用于恒流/开关式 LED 驱动器中的高压侧或低压侧开关，尤其适用于工业照明、汽车内饰灯等需耐压 >100 V 的场合； ✅ 电源管理单元（PMU）中的负载开关：在 DC-DC 转换器后级、电池供电系统中控制高侧负载通断； ✅ 继电器/电磁阀驱动：替代传统达林顿管，以更低功耗驱动感性负载（需配合续流二极管）； ✅ 电机控制（小功率直流电机）：用于风扇、泵类等低速启停控制； ✅ 工业控制接口电路：如 PLC 数字输出模块、隔离信号切换等对耐压和可靠性要求较高的场景。 PBHV8215Z,115 具备 AEC-Q101 认证（符合车规级可靠性标准），因此亦可用于车载辅助系统（如座椅调节、车窗升降控制器）等非安全关键的汽车电子应用。其高 BVCEO 和良好热稳定性，使其在宽温范围（–65°C 至 +175°C）下仍保持可靠工作。 注意：不适用于高频射频放大或线性稳压等模拟放大场景，设计时需确保基极驱动能力充足，并合理布局散热路径。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 150V 2A SOT223两极晶体管 - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV8215Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV8215Z,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 280mV @ 400mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1A，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6379-1 |
| 功率-最大值 | 1.45W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 33 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.45 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 55 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 350 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 33MHz |
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