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MJE5731G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5731G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5731G价格参考。ON SemiconductorMJE5731G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 350V 1A 10MHz 40W 通孔 TO-220AB。您可以下载MJE5731G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE5731G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE5731G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于中高功率晶体管,常用于功率放大和开关应用。该器件采用TO-225封装,具有较高的电压和电流承载能力,最大集电极电流可达1.5A,集射极击穿电压为60V,适合在中等功率条件下稳定工作。 MJE5731G的典型应用场景包括: 1. 音频功率放大器:由于其良好的线性特性和较高的增益,常用于家用音响、收音机、对讲机等设备中的前置或驱动级放大电路。 2. 电源管理电路:可用于线性稳压电源或DC-DC转换器中的调整管或驱动管,实现电压调节与负载控制。 3. 工业控制与驱动系统:作为继电器、电机、LED灯组等负载的开关驱动元件,在自动化设备、电源模块中广泛应用。 4. 消费类电子产品:如电视机、音响设备、充电器等内部电路中,用于信号放大或功率切换功能。 该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性,适用于需要持续运行和一定功率处理能力的场景。同时,其引脚兼容多种标准封装,便于替换和设计扩展。总体而言,MJE5731G是一款性能稳定、应用广泛的通用型中功率BJT,特别适合对成本与性能平衡要求较高的工业与消费类电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PWR PNP 1A 350V TO-220AB两极晶体管 - BJT 1A 350V 40W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE5731G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE5731G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 300mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE5731G-ND |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | MJE5731 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 350 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 10MHz |