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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJL1302DG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJL1302DG价格参考。ON SemiconductorNJL1302DG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJL1302DG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJL1302DG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJL1302DG 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号主要应用于以下场景: 1. 开关电路:NJL1302DG 具有高增益和快速开关特性,适用于各种开关应用,例如继电器驱动、LED 驱动和 MOSFET 驱动等。其低饱和电压和高电流能力使其在高效开关电路中表现优异。 2. 信号放大:由于其高电流增益(hFE),该晶体管适合用于音频放大器和其他需要信号放大的场合。它可以提供稳定的增益性能,适用于多级放大器中的前置放大或中间级放大。 3. 电源管理:在 DC-DC 转换器、线性稳压器和其他电源管理电路中,NJL1302DG 可用作控制元件,帮助调节输出电压或电流。其耐压能力和散热性能支持其在电源电路中的稳定运行。 4. 电机控制:该晶体管可以用来驱动小型直流电机或步进电机。通过 PWM(脉宽调制)技术,可以实现对电机速度和方向的有效控制。 5. 保护电路:在过流保护、短路保护等安全电路中,NJL1302DG 可作为关键元件,检测异常电流并及时切断电路以保护设备。 6. 通信设备:在一些低频通信设备中,该晶体管可用于信号调制与解调,以及射频前端的功率放大。 总结来说,NJL1302DG 的主要应用场景集中在需要高性能开关、信号放大和功率控制的电子系统中。它广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子以及通信领域。选择此型号时,需根据具体电路需求考虑其工作电压、电流和频率范围是否匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264两极晶体管 - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJL1302DG- |
数据手册 | |
产品型号 | NJL1302DG |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 1A,10A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 75 @ 5A,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-264 |
其它名称 | NJL1302DG-ND |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 30 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-264-5 |
封装/箱体 | TO-264-5 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP + 二极管(隔离式) |
最大功率耗散 | 200000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 15 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 260V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 15A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
系列 | NJL1302D |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 260 V |
集电极—基极电压VCBO | 260 V |
频率-跃迁 | 30MHz |