ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBTA06WT1G
Datasheet下载- 型号： MMBTA06WT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA06WT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA06WT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTA06WT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 500mA 100MHz 150mW 表面贴装 SC-70-3（SOT323）。您可以下载MMBTA06WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA06WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTA06WT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装的电路板设计。 其主要应用场景包括： 1. 信号放大：常用于音频、射频及各类模拟信号的前置放大电路中，因其具有良好的电流增益（hFE）特性，可稳定放大微弱信号。 2. 开关控制：广泛应用于数字电路中的开关功能，如驱动LED、继电器、小型电机或作为逻辑电平转换器，适用于微控制器与负载之间的接口电路。 3. 电源管理：在低功耗电源系统中用作通断控制元件，例如在电池供电设备中实现节能模式切换。 4. 消费电子：常见于手机、平板、智能家居设备、可穿戴产品等便携式电子产品中，用于小电流控制和信号处理。 5. 工业与汽车电子：由于具备一定的温度稳定性和可靠性，也适用于汽车电子模块（如传感器接口、灯光控制）和工业控制电路中。 MMBTA06WT1G具有低饱和电压、高增益和优良的开关响应速度，并通过了AEC-Q101车规认证，增强了其在严苛环境下的适用性。同时，该型号为无铅、符合RoHS标准，支持环保制造要求。综上，该晶体管是一款性能稳定、应用广泛的通用型器件，特别适合中小功率的放大与开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DRIVER SS NPN 80V SC70-3两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA06WT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTA06WT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MMBTA06WT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMBTA06WT1 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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