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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP5200RTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP5200RTU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP5200RTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJP5200RTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJP5200RTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP5200RTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于功率放大和开关应用。其主要应用场景包括: 1. 音频功率放大器:该器件具有较高的电流容量和良好的热稳定性,适用于音响系统、功放设备中的输出级电路。 2. 电源管理与DC-DC转换器:在开关电源中作为高频开关元件,实现电压变换与稳压功能。 3. 电机驱动电路:用于控制小型直流电机或步进电机的启停与调速,常见于家电、工业自动化设备中。 4. 继电器与负载开关控制:在需要大电流驱动能力的场合,如汽车电子、工业控制系统中,用作继电器或电磁阀的驱动开关。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或逆变器中用于功率级切换,将直流电转换为交流电供电。 该晶体管采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合高可靠性与中高功率应用环境。设计时需注意基极驱动电流与功耗限制,以确保稳定工作。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 250V 17A TO-220AB两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A 80W |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJP5200RTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FJP5200RTU |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 800mA,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 55 @ 1A,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 30 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 100000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 15 A |
最小工作温度 | - 50 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 250V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 17A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 55 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 55 at 1 A at 5 V |
系列 | FJP5200 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 230 V |
集电极—基极电压VCBO | 230 V |
频率-跃迁 | 30MHz |